称荣咀饶扇揣抹纤枷唤扫锈酿
第二章 数制与编码 第1、2章单元测验
1、 十进制数 120 对应的二进制数是：
答案: 1111000
2、 十进制数 16.68 对应的十六进制数是：
答案: 10.AE
3、 十进制数 38.75 对应的8421BCD码是：
答案: 00111000.01110101
4、 十进制数 +45 对应的二进制补码是：
答案: 00101101
5、 十进制数 -47 对应的二进制补码是：
答案: 11010001
6、 十进制数 178.5 对应的余3码是：
答案: 010010101011.1000
7、 十进制数 22.37 对应的二进制数是：
答案: 10110.0101111
8、 二进制数 100110.11 对应的十六进制数是：
答案: 26.C
9、 二进制数 01000010 对应的格雷码是：
答案: 01100011
10、 二进制数 101111.0111 对应的八进制数是：
答案: 57.34
11、 两个二进制数 的补码相加，有溢出的是：
答案: 01000011+01001000;
10101111+11001111
12、 与模拟电路相比，数字系统的优越性主要体现在：
答案: 稳定可靠;
精度更高;
易于设计
13、 构成数字电路最基本的器件主要有：
答案: 门电路;
触发器
14、 数字设计的层次主要有：
答案: IC 制造过程级 ;
晶体管级;
门电路结构级;
逻辑设计级
15、 二进制加法运算包含的输入、输出变量有：
答案: 进位输入: C in;
进位输出 C out ;
本位和: S
第三章 数字电路 第3章单元测试
1、 使用片内基本单元实现逻辑函数 y=a+b.c’ 需要使用多少个最小晶体管
答案: 18
2、 若假设最小晶体管栅极电容导致的时间延迟为1，使用片内基本单元实现逻辑函数 y=a+b.c’ 时，当信号从c到y的传递延迟时间为
答案: 8
3、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=(a.(b+c))’
4、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=(a+b).(c+d)
5、 在5V电源条件下，若电平容限为0.5V，考虑对等性设计指标，采用开路门设计的反相器使用的最小晶体管数量为采用CMOS结构设计的多少倍
答案: 5
6、 电路结构如图所示，该电路是 
答案: BUFFER
7、 电路结构如图所示，该电路是 
答案: NOR2
8、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=(a.b.c)’
9、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=(a.b+c)’
10、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=a.(b+c)
11、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=((a+b).(c+d))’
12、 下图逻辑单元实现的功能为
答案: y=(a.c+b.d)’
13、 当电源为5V时，若CMOS反相器的输入电压为2V，输出电压的可能值为
答案: 4V
14、 当电源为5V时，若CMOS反相器的输入电压为3V，输出电压的可能值为
答案: 1V
15、 当电源为5V时，若CMOS缓冲器的输入电压为2V，输出电压的可能值为
答案: 1V
16、 当电源为5V时，若CMOS缓冲器的输入电压为3V，输出电压的可能值为
答案: 4V
17、 若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值 2.8V 输入低电平最大值 2.3V输出高电平最小值 3.9V 输出低电平最大值 0.7V则高电平噪声容限为
答案: 1.1V
18、 若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值 2.8V 输入低电平最大值 2.3V输出高电平最小值 3.9V 输出低电平最大值 0.7V则低电平噪声容限为
答案: 1.6V
19、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，NMOS导通电阻为100，PMOS导通电阻为150，则高电平驱动能力为
答案: 13.3
20、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，NMOS导通电阻为100，PMOS导通电阻为150，则低电平驱动能力为
答案: 22
21、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，高电平驱动能力为8mA，低电平驱动能力为10mA，则NMOS导通电阻为
答案: 220
22、 设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，高电平驱动能力为8mA，低电平驱动能力为10mA，则PMOS导通电阻为
答案: 250
23、 对简单逻辑单元的集成通常称为
答案: SSI
24、 对常用功能运算单元的集成通常称为
答案: MSI
25、 片上复杂系统SOC的设计通常属于
答案: VLSI
26、 采用FPGA进行复杂数字系统的可编程设计通常属于
答案: VLSI
27、 在片内CMOS单元中，从输出到电源的某条支路上存在3个MOS器件，需要使用多少个最小晶体管
答案: 9
28、 在片内CMOS单元中，从输出到地的某条支路上存在4个MOS器件，需要使用多少个最小晶体管
答案: 16
29、 INV的成本约为标准门的
答案: 三分之一
30、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，最小反相器（1X）延迟时间为2，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）最接近于
答案: 2000
31、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，最小反相器（1X）延迟时间为2，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）最接近于
答案: 100
32、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，最小反相器（1X）延迟时间为2，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）最接近于
答案: 50
33、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，最小反相器（1X）延迟时间为2，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）最接近于
答案: 50
34、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）接近于多少个内部标准门级联的延迟时间
答案: 700
35、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）相当于多少个内部标准门级联的延迟时间 
答案: 40
36、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）相当于多少个内部标准门级联的延迟时间
答案: 15
37、 若集成块内部为驱动单元提供的驱动能力为1X，对于下图所示的输出缓冲设计(图中反相器上面标注了相应的驱动能力)，该输出单元的延迟时间（从a到y）相当于多少个内部标准门级联的延迟时间A 15 B 60 C 240 D 800
答案: 15
38、 对于CMOS结构的NAND2器件，下列说法哪些是正确的
答案: 该器件有2个输入端;
该器件使用2个PMOS;
该器件中NMOS器件为串联
39、 下列器件中，哪些属于CMOS片内基本单元
答案: INV ;
NOR2
40、 关于标准门，下列说法中哪些是正确的
答案: 标准门只包含NAND2和NOR2;
反相器成本相当于1/3标准门;
标准门需要使用6个最小晶体管
41、 关于集成块的输出单元，下列说法中正确的是
答案: 输出单元一定是大驱动反相器;
输出单元的驱动能力通常为内部驱动能力的上千倍以上;
中小规模集成块的时间延迟主要取决于输出单元设计
42、 下列输入输出关系中，哪些表达了基本逻辑单元
答案: 
43、 一个CMOS器件由4个MOS器件构成，它可能是
答案: NAND2 ;
BUFFER
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