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起止时间:2021-09-06到2022-01-03
更新状态:每周周末更新
作业第1周 导论及晶体二极管 第1周课前作业
1、 如图所示，求所标明的电压V和电流值I，其中二极管要求用恒压降模型替代，即VD=0.7V。
评分规则:
2、 试判断如图所示电路中各二极管是否导通，并求Vo的值。
评分规则:
3、 一个二极管应用在一个由恒流源I供电的电路中，如果在二极管边上再并联一个相同的二极管，那么对该二极管的正向电压有什么影响？假设n=1。
评分规则:
4、 如图所示电路，该电路功能是什么？设输入正弦波的有效值为120V，并假设二极管理想。为电阻R选择合适的数值，使得二极管的峰值电流不超过50mA，并求二极管两端最大的反向电压PIV。
评分规则:
5、 本周知识图谱：呈现方式：大纲形式、思维导图形式、组织结构图形式和其他形式，可借助各类制图软件，也可以手写。
评分规则: 看总结的完整性和逻辑性评分
第1周 导论及晶体二极管 第1周课前测验
1、 纯净、无杂质且无晶格缺陷的半导体材料称为（ ）。
A:本征半导体
B:杂质半导体
C:化合物半导体
D:氧化物半导体
答案: 本征半导体
2、 PN结的形成过程可以简述如下：
A:多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
B:多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡
C:少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡
D:少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
答案: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
3、 室温下无外力作用时，本征半导体中的载流子主要由（ ）产生。
A:本征激发
B:电场作用
C:地心引力
D:相互作用力
答案: 本征激发
4、 常用于电子器件制作的元素半导体材料一般是（ ）元素。
A:+4价
B:+3价
C:+5价
D:+6价
E:+2价
F:+1价
答案: +4价
5、 杂质半导体中空穴和自由电子（ ）。
A:浓度不再相等
B:浓度始终相等
C:随着温度上升，浓度逐渐下降
D:浓度都与掺杂浓度相等
答案: 浓度不再相等
6、 P型半导体（ ）。
A:掺入+5价杂质元素
B:掺入+3价杂质元素
C:多数载流子为自由电子
D:多数载流子为空穴
E:少数载流子为自由电子
F:少数载流子为空穴
G:杂质被称为施主杂质
H:杂质被称为受主杂质
I:掺入+4价杂质元素
J:杂质离子带正电荷
K:杂质离子带负电荷
答案: 掺入+3价杂质元素;
多数载流子为空穴;
少数载流子为自由电子;
杂质被称为受主杂质;
杂质离子带负电荷
7、 PN结形成后（ ）。
A:内部载流子将静止不动
B:接触面上无载流子通过
C:接触面上无电流通过
D:接触面两边形成空间电荷区
E:势垒区内的离子固定不动
F:接触面两侧空间电荷区的宽度始终相等
G:接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比
答案: 接触面两边形成空间电荷区;
势垒区内的离子固定不动;
接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比
8、 当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将____。
A:变窄
B:变宽
C:基本不变
D:一侧变窄，一侧变宽
答案: 变窄
9、 下面对PN结单向导电性描述正确的是（）
A:反偏时PN结等效为一个大电阻
B:正向导通，反向截止
C:正向导通，反向截止
D:正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
答案: 反偏时PN结等效为一个大电阻;
正向导通，反向截止
10、 本征半导体中自由电子和空穴（ ）。
A:由本征激发产生
B:因本征复合而消失
C:成对产生或成对消失
D:浓度始终相等
E:带电极性相同
F:浓度始终不等
G:浓度有时相等，有时不等
H:可从外界吸收获取
答案: 由本征激发产生;
因本征复合而消失;
成对产生或成对消失;
浓度始终相等
11、 由外电场作用引起半导体内载流子运动，则（ ）。
A:运动方式为漂移运动
B:形成的电流为漂移电流
C:电场强度越大，引起的电流越大
D:运动方式为扩散运动
E:形成的电流为扩散电流
F:电场强度越大，引起的电流越小
G:引起的电流方向与其载流子运动方向相反
H:引起的电流方向与其载流子运动方向相同
答案: 运动方式为漂移运动;
形成的电流为漂移电流;
电场强度越大，引起的电流越大
12、 N型半导体（ ）。
A:掺入+5价杂质元素
B:多数载流子为自由电子
C:掺入+3价杂质元素
D:掺入+4价杂质元素
E:多数载流子为空穴
F:少数载流子为自由电子
G:少数载流子为空穴
H:杂质被称为施主杂质
I:杂质被称为受主杂质
J:杂质离子带正电荷
K:杂质离子带负电荷
答案: 掺入+5价杂质元素;
多数载流子为自由电子;
少数载流子为空穴;
杂质被称为施主杂质;
杂质离子带正电荷
13、 杂质半导体中（ ）。
A:多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度
B:少子浓度主要依赖于温度
C:少子由本征激发产生
D:多子和少子的带电极性总是相反的
E:多子和少子的带电极性总是相同的
F:多子浓度主要依赖于温度
G:少子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度
H:多子由本征激发产生
I:多子和少子浓度相同
答案: 多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度;
少子浓度主要依赖于温度;
少子由本征激发产生;
多子和少子的带电极性总是相反的
14、 PN结的击穿现象（ ）。
A:是在加足够大的反偏电压时出现的
B:根据击穿机理的不同，分为雪崩击穿和齐纳击穿
C:产生原因是由于外电场过强
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