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第一章 单元测试
1、 十进制数78转换成8421BCD码是( )。
A:00111000
B:01111000
C:11111000
D:01110111
答案: 01111000
2、
将十进制数43转换成8421BCD码后,答案是( )。
A:00111000
B:01000011
C:11111000
D:01110111
答案: 01000011
3、
将十进制数23转换成8421BCD码后,我们可以得到( )。
A:00111000
B:00100011
C:11111000
D:01110111
答案: 00100011
4、 十进制数123转换成8421BCD码是( )。
A:000100100011
B:011110001100
C:111110000010
D:011101111101
答案: 000100100011
5、 十进制数78转换成5421BCD码是( )。
A:10101011
B:01111011
C:11111000
D:01110111
答案: 10101011
01111011
6、 十进制数72转换成2421BCD码是( )。
A:11011000
B:01110010
C:01111000
D:11010010
答案: 11011000
01110010
01111000
11010010
7、 格雷码是一种循环码,具有循环性和反射性。( )
A:对
B:错
答案: 对
8、 8421BCD码是一种有权自然码。( )
A:对
B:错
答案: 对
9、 0状态是与门的有效状态。( )
A:对
B:错
答案: 对
10、 0状态是或门的有效状态。( )
A:对
B:错
答案: 错
第二章 单元测试
1、 哪项没有使用吸收率( )。
A:A+AB=A
B:A+A=A
C:A+AB+ABC=A
D:A+AB+AC=A
答案: A+A=A
2、 哪项表述是错误的( )。
A:卡诺图包围圈包围“1”的个数越多越好
B:卡诺图包围圈个数越少越好
C:卡诺图化简法和代数法化简比较,卡诺图化简法更好
D:卡诺图是使用格雷码编码,包含最小项的方格。
答案: 卡诺图化简法和代数法化简比较,卡诺图化简法更好
3、 哪项不属于代数法化简规则( )。
A:代入规则
B:对偶规则
C:互换规则
D:反演规则
答案: 互换规则
4、 哪项属于代数法化简规则( )。
A:代入规则
B:对偶规则
C:互换规则
D:反演规则
答案: 代入规则
对偶规则
反演规则
5、 A+ACD+ABC+AB化简结果不是( )。
A:B
B:CD
C:A
D:AB
答案: B
CD
AB
6、 通过反演规则进行了哪些对换,可以把原式变成反演式( )。
A:0-1
B:原-反
C:与-或
D:异或-同或
答案: 0-1
原-反
与-或
7、 摩根定理遵循反演规则。( )
A:对
B:错
答案: 对
8、 原式就是对偶式。( )
A:对
B:错
答案: 错
9、 原式按照对偶规则可得其对偶式 。( )
A:对
B:错
答案: 对
10、 原式按照反演规则可得其反演式。( )
A:对
B:错
答案: 对
第三章 单元测试
1、 关于CMOS反相器的电路结构描述正确的是( )。
A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
答案: 一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
2、 关于CMOS与非门的电路结构描述正确的是( )。
A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
答案: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
3、
对于CMOS与非门的电路结构,下列描述中正确的是( )。
A:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
B:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和一个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
C:两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
D:一个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
答案: 两个N沟道绝缘栅增强型场效应管和两个P沟道绝缘珊增强型场效应管构成。
4、 TTL与非门输入端不用时如何处理( )。
A:悬空
B:接高电平
C:接地
D:接大电阻
答案: 悬空
接高电平
接大电阻
5、 关于NMOS反相器描述正确的是( )。
A:有源负载管始终工作于恒流区。
B:工作管输出可以是“0”,也可以是“1”。
C:工作管始终工作于恒流区。
D:有源负载管输出可以是“0”,也可以是“1”。
答案: 有源负载管始终工作于恒流区。
工作管输出可以是“0”,也可以是“1”。
有源负载管输出可以是“0”,也可以是“1”。
6、 以下描述错误的是( )。
A:TTL电路是由场效应管构成。
B:CMOS电路是由三极管构成。
C:TTL电路输入端不能悬空。
D:TTL电路输入端可以悬空。
答案: TTL电路是由场效应管构成。
CMOS电路是由三极管构成。
TTL电路输入端不能悬空。
7、 TTL与非门电路输入端悬空等价于高电平状态。( )
A:对
B:错
答案: 对
8、 CMOS与非门电路输入端悬空等价于高电平状态。( )
A:对
B:错
答案: 错
9、 TTL与非门电路输入端接大电阻等价于高电平状态 。( )
A:对
B:错
答案: 对
10、 CMOS与非门电路输入端不能悬空 。( )
A:对
B:错
答案: 对
第四章 单元测试
1、 关于组合电路描述正确的是( )。
A:组合电路输出不仅取决于当前输入还与原来的输入有关。
B:组合电路有记忆功能。
C:组合电路有反馈线路。
D:组合电路输出只取决于当前输入。
答案: 组合电路输出只取决于当前输入。
2、 组合电路分析步骤( )。
A:电路图——真值表——表达式——结论。
B:表达式——电路图——真值表——结论
C:电路图——表达式——真值表——结论。
D:真值表——表达式——电路图——结论。
答案: 电路图——表达式——真值表——结论。
3、 组合电路设计步骤( )。
A:电路图——真值表——表达式——结论。
B:表达式——电路图——真值表——结论
C:电路图——表达式——真值表——结论。
D:真值表——表达式——电路图——结论。
答案: 真值表——表达式——电路图——结论。
4、 属于组合电路的是( )。
A:计数器
B:译码器
C:寄存器
D:数据分配器
答案: 译码器
数据分配器
5、 关于译码器描述正确的是( )。
A:译码器可以连成数据分配器。
B:译码器可以连成全加器。
C:74HC163是同步十进制计数器。
D:译码器可以连成流水灯状态。
答案: 译码器可以连成数据分配器。
译码器可以连成全加器。
译码器可以连成流水灯状态。
6、 数据选择器有( )。
A:74151。
B:74153。
C:74161。
D:74390。
答案: 74151。
74153。
7、 编码器分为8线-3线和16线-4线。( )
A:对
B:错
答案: 对
8、 数据选择器就是数据分配器。( )
A:对
B:错
答案: 错
9、 译码器分为8线-3线和16线-4线。( )
A:对
B:错
答案: 错
10、 数值比较器属于时序电路 。( )
A:对
B:错
答案: 对
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